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  • Tetrabutylammonium fluoride
半导体材料
通用环氧树脂
环氧树脂粘结剂
水性聚氨酯扩链剂
钯蚀刻剂和铂蚀刻剂

钯蚀刻剂和铂蚀刻剂
钯蚀刻剂TFP
 
钯蚀刻剂TFP用于在阴极溅镀、蒸发和化学沉积膜上刻制高分辨率图案。这些膜通常用作硅片镍和金膜体系的阻挡层。
 
性质
操作
外观
深琥珀色水溶液
玻璃/Pyrex/PVC
PH
1
温度
40-60
闪点
不可燃
蚀刻速率
110 Å /秒,50℃
贮存
室温
冲洗
有效期
1年
匹配性
 
毒性
光刻胶
阴性和阳性光刻胶
 
 
金属膜
/镍-金
 
钯蚀刻剂1:1
 
钯蚀刻剂1:1A和B适于蚀刻钯金属薄膜,钯蚀刻剂1:1是一个两组分体系,在使用前两组分要进行等量混合,和包括光刻胶在内的广范围材料都能匹配使用。蚀刻速率为中等速率。
含氰材料需要作特殊处理
 
铂蚀刻剂1:1
 
铂蚀刻剂1:1A和B适合用来蚀刻铂金属薄膜,铂蚀刻剂1:1是一种两组分体系。在使用前两组分必须进行等量混合。和包括光刻胶在内的广范围材料具有良好匹配性。蚀刻速率中等。
含氰材料需要作特殊处理。


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