氧化锡/铟锡蚀刻剂TE100

说明   氧化锡/氧化铟锡蚀刻剂TE—100是微电子产品氧化锡和氧化铟锡（ITO）膜层的选择蚀刻剂。它能有效地蚀刻沉积在陶瓷、介电质、半导体和许多金属上的ITO和氧化锡膜。TE—100蚀刻线清晰、蚀刻速率可控。与阴性和阳性光刻胶具有广泛的匹配性。TE—100与镍、铜、镍铬和铝不匹配。   性质   外观 深琥珀色 蚀刻速率，25℃ 15～20 Å/秒 操作温度 40～50℃ 冲洗 去离子水 贮存 20～25℃ 有效期 在15～25℃，1年   应用   氧化铟锡膜在制备时，最好先沉积一层铟—锡膜。然后将铟­—锡膜用氧等离子体氧化，或在较高温度下在一个氧化氛中氧化。当进行蚀刻时，铟以三价水络合物[In(H2O)6]3+的形式溶解，而锡则生成[SnCl6]2－阴离子。