ESP抛光液
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（硅化学抛光液）
硅的化学——机械抛光工艺
特点
· 用ESP®液抛光硅无须加抛光粉
· 抛光速率高
· 抛光表面无伤损、桔皮效应和坑凹等现象
· 表面洁净、晶莹剔透
· 还可以用来抛光锗和其他半导体材料
说明
硅的化学抛光是基于铜-多氟化物化学的硅抛光工艺，它是一个简单而高效率的制作高抛光度硅的方法。用此工艺制得的硅基尤其适合用于扩散工艺和外延沉积过程。
在抛光过程中使硅晶片与蒙有抛光布的抛光轮密切接触。抛光布浸透着ESP抛光液，在抛光过程中，硅原子将被铜离子所置换。如此沉积的铜随后又被抛光轮依次擦抹掉。在最佳抛光条件下铜的沉积和去除都十分容易。使用含多氟离子的缓冲溶液的特殊组成的ESP液可大大改进抛光过程。抛光过程总的离子反应是：
Cu+2 Si0 + 6F- + 2（NH4）+ + 2Cu0 + （NH4）2SiF6
用ESP工艺抛光的硅，具有非常优良的质量，远远优于普通化学或机械法抛光产品。ESP法制得的表面洁净、平滑、晶莹剔透。而且此表面无损伤、坑凹和桔皮现象。又因为此工艺过程并不太受存在于硅材料中的受主和施主杂质的影响，所以无电阻环存在。
ESP液的性质
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